一、CoWoP工艺的核心变革与封装演进 1. 工艺本质与技术突破 去载板化设计：CoWoP跳过传统BT载板（如ABF材料），将芯片直接封装在PCB上（Chip-on-PCB），减少信号传输层级，降低传输损耗（延迟降低30%）和热阻（散热效率提升25%）。 2.5D/3D集成：以台积电CoWoS为代表，通过硅中介层（Silicon Interposer）实现GPU、HBM的高密度互连，支持AI芯片算力突破摩尔定律限制。 2. 对PCB的颠覆性要求 线路精细化：线宽从传统50μm降至20-30μm，