韭研公社 2024年07月17日
持续关注拓荆科技:海力士26年将采用混合键合,行业有望迎来加速
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SK海力士宣布将在2026年采用混合键合技术进行HBM生产,该技术可显著减小芯片厚度,提升性能。混合键合技术摒弃了传统的凸块连接方式,通过直接铜对铜连接,简化了生产流程,并有望加速HBM行业发展。

😊 SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合技术,这意味着HBM行业有望迎来加速发展。混合键合技术是一种新型的封装技术,它可以将芯片直接连接在一起,无需使用凸块。这种技术可以显著减小芯片的厚度,并提升芯片的性能。

🤔 混合键合技术摒弃了传统的凸块连接方式,通过铜对铜的直接连接方式实现芯片之间的连接。这种方式可以简化生产流程,并降低生产成本。此外,混合键合技术还可以提升芯片的可靠性和性能。

🤩 SK海力士的这一举措将推动HBM行业的发展,并为其他半导体公司提供参考。随着混合键合技术的成熟,HBM芯片将变得更加普及,并应用于更多领域。

🚀 混合键合技术将为HBM行业带来新的发展机遇。它可以帮助HBM芯片实现更小的尺寸、更高的性能和更低的成本。随着技术的不断发展,混合键合技术有望成为未来HBM芯片的主流封装技术。

🤯 混合键合技术的应用将进一步推动高性能计算、人工智能等领域的发展。HBM芯片在这些领域有着广泛的应用,混合键合技术的应用将为这些领域提供更加强大的算力支持。

【国投证券电子】 1.龙头公司26年将采用混合键合,行业有望迎来加速:7月17日,SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。到目前为止,HBM 在 DRAM 模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而,通过混合键合,芯片可以在没有凸块的情况下连接,通过消除充当桥梁的凸块来显着减小芯片的厚度。混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤,通过铜对铜的直接连接方式实

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