韩国半导体公司周星工程研发出原子层沉积（ALD）技术，降低极紫外光刻（EUV）工艺步骤需求，助力生产先进工艺芯片。该技术有望通过堆叠晶体管的方式，推动DRAM和逻辑芯片发展，应对尺寸微缩挑战。

🌟 周星工程的ALD技术突破：这项新技术能够在生产先进工艺芯片中减少极紫外光刻（EUV）工艺的步骤，提高生产效率，降低成本。

💡 EUV工艺现状：EUV技术目前广泛应用于7纳米以下的先进制程，是半导体制造的关键技术。周星工程的技术进步，将为EUV工艺带来新的变革。

🔧 堆叠晶体管的必要性：随着DRAM和逻辑芯片扩展接近极限，堆叠晶体管成为继续微缩尺寸的关键途径。ALD技术为这一过程提供了支持。

📉 ALD设备需求增长：随着堆叠技术的日益重要，ALD机器的需求预计将增加，这对于半导体行业来说是一个新的增长点。

🔬 III-V和IGZO半导体的生产：ALD设备不仅适用于DRAM和逻辑芯片，对于III-V和IGZO半导体的生产也至关重要。

IT之家 7 月 16 日消息，韩媒 The Elec 报道，韩国半导体公司周星工程（Jusung Engineering）最新研发出原子层沉积（ALD）技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻（EUV）工艺步骤需求。

IT之家注：极紫外光刻（EUV）又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于 7 纳米以下的先进制程，于 2020 年得到广泛应用。

周星工程董事长 Chul Joo Hwang 表示当前 DRAM 和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像 NAND 一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。

半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个佐证是深紫外线（DUV）设备有望用于生产 3D DRAM。

Hwang 说，随着堆叠变得越来越重要，ALD 机器的需求也将增加。III-V 和 IGZO 半导体的生产也需要 ALD 设备。