韩国半导体公司周星工程研发出一项原子层沉积(ALD)技术，能有效减少生产先进工艺芯片中的极紫外光刻(EUV)工艺步骤，应对DRAM和逻辑芯片扩展极限问题。董事长Chul Joo Hwang指出，堆叠晶体管将成为未来发展趋势，ALD设备需求将随之增长，对III-V和IGZO半导体生产同样重要。

🌟 周星工程的新技术：该公司研发的原子层沉积(ALD)技术，可在生产先进工艺芯片时减少极紫外光刻(EUV)工艺步骤，提高生产效率。

📈 市场需求前景：随着DRAM和逻辑芯片扩展接近极限，堆叠晶体管技术成为发展趋势，ALD设备需求预计将显著增加。

🔬 技术应用广泛：ALD技术不仅适用于生产3D DRAM，对于III-V和IGZO半导体生产也至关重要，展现了该技术的广泛适用性。

格隆汇7月16日｜据韩媒The Elec，韩国半导体公司周星工程(Jusung Engineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。周星工程董事长Chul Joo Hwang表示，当前DRAM和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像NAND一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个佐证是深紫外线(DUV)设备有望用于生产3D DRAM。Hwang称，随着堆叠变得越来越重要，ALD机器的需求也将增加。III-V和IGZO半导体的生产也需要ALD设备。