日本冲绳科学技术大学院大学设计EUV光刻技术，该技术超越半导体制造业标准界限。光刻设备采用更小EUV光源，功耗低，可降成本并提高机器可靠性和使用寿命。

🎯日本冲绳科学技术大学院大学研发的EUV光刻技术，突破了半导体制造业的标准限制，具有重要意义。

💡此技术的光刻设备采用更小的EUV光源，功耗不到传统EUV光刻机的十分之一，能显著降低成本。

🌟该技术还大幅提高了机器的可靠性和使用寿命，通过创新的设计解决了EUV射线波长极短带来的问题。

日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈和透镜等光学元件以轴对称方式排列在一条直线上。这种方法并不适用于EUV射线，因为它们的波长极短，大多数会被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形镜子引导。但这又会导致光线偏离中心轴，从而