AMD下一代Zen6架构正在积极推进中，消费级和数据中心产品均在列。Zen6的CCD部分工艺可能采用台积电N3或N2级别。而关于Zen6的IOD部分，最新消息显示，将从原计划的台积电N4P切换到三星4LPP工艺，同为4nm级别。三星4LPP工艺虽然在性能和能效上略逊一筹，但因其成熟度和低功耗特性，以及较低的成本，非常适合对工艺要求不高的IOD。该工艺的晶体管密度与台积电N5相当，优于Intel 4，整体素质良好。

⚙️ AMD正在积极推进下一代Zen6架构，包括消费级和数据中心产品，其CCD部分工艺或将采用台积电N3 3nm级别或N2 2nm级别。

💡 Zen6的IOD部分制造将切换到三星4LPP工艺，虽然同为4nm级别，但三星工艺的成熟度和低功耗特性，以及较低的成本，使其成为IOD的理想选择。

📊 三星4LPP工艺的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个，与台积电N5相当，仅比台积电N4P低约5％，但高于Intel 4 11％，显示出其良好的性能潜力。

快科技2月14日消息，AMD已经在积极推进下一代Zen6架构产品，包括消费级和数据中心，其中CCD部分的工艺有两种说法，一是台积电N3 3nm级别，另一种是台积电N2 2nm级别。

目前，Zen5家族的锐龙9000系列的IOD部分为台积电4nm，CCD部分则是6nm，后者完全延续了锐龙7000系列的设计。

EPYC 9005系列的IOD部分则是4nm(Zen5)和3nm(Zen5c)，IOD部分和锐龙一样都是6nm，二者在很大程度上也是相同的。

那么，下一代Zen6会搭配什么样的IOD呢？

之前的说法是升级到台积电4nm，确切地说是N4P，但最新消息显示，Zen6 IOD制造切换到三星了，但还是4nm级别，确切地说是4LPP，或者叫SF4。

三星工艺虽然在性能、能效上始终差一点，但是IOD并不需要太先进的工艺，功耗也不高。

而三星4LPP 2022年就量产了，已经相当成熟，这也意味着成本会相当低，而且它就是个低功耗工艺节点，正好适合做IOD。

资料显示，三星L4PP的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个，基本和台积电N5相当，只比台积电N4P低大约5％，同时高于Intel 4 11％之多，本身素质还是不错的。