韩美半导体董事长郭东信近日表示，对于HBM 4/5代内存，采用混合键合工艺如同“杀鸡用牛刀”，认为传统TC键合机即可满足需求。该公司是全球领先的HBM内存TC键合机台供应商，其设备在英伟达HBM3E内存供应中占据重要份额。郭东信指出，混合键合设备价格高昂，且HBM4规范放宽了堆栈高度要求，使得TC键合机能够胜任。韩美半导体计划推出无助焊剂HBM键合设备，并于2027年推出面向HBM6内存的混合键合机。

💡韩美半导体是全球最大的HBM内存TC（热压缩）键合机台供应商，其设备在英伟达HBM3E内存供应中占据九成份额。

💰郭东信认为，混合键合设备价格超过100亿韩元（约合5190万元人民币），是传统TC键合机的两倍以上，成本较高。

📐JEDEC制定的HBM4规范将堆栈高度要求放宽至775μm，传统TC键合机足以满足工艺需求，无需混合键合来降低DRAM Die间距。

🗓️韩美半导体计划今年推出无助焊剂(Fluxless)类型的HBM键合设备，并计划在2027年推出面向HBM6内存的混合键合机。

IT之家 7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体 _{(HANMI Semiconductor)} 董事长郭东信当地时间昨日表示，在 HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀，并无必要。

韩美半导体是全球第一大 HBM 内存 TC_{（热压缩）}键合机台供应商。根据郭东信的说法，最近两年由该企业设备实施键合步骤的 HBM 堆栈占到英伟达 HBM3E 内存整体供应量的九成。

郭东信表示，一台混合键合设备的价格就要超过 100 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 5190 万元人民币），是传统 TC 键合机的两倍以上；此外 JEDEC 制定的 HBM4 规范将堆栈高度要求放宽到了 775μm，没有必要通过无凸块的混合键合进一步降低 DRAM Die 间距，TC 键合机足以满足 HBM4 乃至 HBM5 的工艺需求。

韩美半导体计划今年推出无助焊剂 (Fluxless) 类型的 HBM 键合设备，瞄准 HBM6 内存需求的混合键合机则目标在 2027 年推出。