长江存储已开始出货第五代3D NAND存储芯片，该芯片有294层、232个有效层，位密度与SK Hynix产品相当。其采用混合键合等技术，公司低调发布或与美国贸易限制有关，该芯片技术不断进步，预计将继续发展。

🌊长江存储开始出货第五代3D NAND芯片，有294层

📈位密度接近每平方毫米20Gb，与SK Hynix产品相当

🔗使用混合键合连接内存阵列与逻辑组件

🚀采用串堆叠技术，Xtacking 4.0架构和TLC设计

TechInsights 分析显示，长江存储已开始出货其第五代 3D NAND 存储芯片，该芯片共有 294 层，有 232 个有效层。新芯片的位密度接近每平方毫米 20 Gb（19.8 Gb/mm²），与 SK Hynix 目前的产品相当，接近 Kioxia/西部数据的最新产品。

长江存储的设计使用混合键合将内存阵列与逻辑组件连接起来，这表明中国内存制造商已经跟上了其未获批准的竞争对手使用的封装标准。该公司选择低调发布，没有正式宣布，这与典型的行业惯例不同，这种低调的做法可能与美国对中国半导体公司的持续贸易限制有关。

虽然 SK Hynix 即将推出的 321 层芯片没有创下有效层的记录，但它在该指标上处于领先地位，而长江存储的总层数所取得的成就表明技术在不断进步。该芯片采用串堆叠技术，但层阵列的具体配置仍不清楚。

其他规格显示，新芯片采用长江存储的 Xtacking 4.0 架构和三级单元 (TLC) 设计。这与主要竞争对手的架构类型相匹配，尽管尚未披露接口速度等详细性能指标。

第五代 NAND 专注于让密度走上正轨，预计长江存储将继续以同样的速度发展，与 SK Hynix 的 321 层芯片相匹敌，并在不久的将来用 Xtacking 5.0 超越它。