TechInsights最新发布的3D NAND产品比较显示，长江存储在垂直单元效率上领先，技术竞争持续升温。分析指出，VCE是NAND技术的核心指标，三星、海力士、美光等厂商产品也表现出色，但长江存储的产品力更胜一筹，对半导体设备产业链形成积极影响。

📈 长江存储产品力领先：TechInsights的对比分析显示，长江存储的2XXL 3D NAND产品在垂直单元效率（VCE）上取得了显著优势，这一指标直接关系到NAND单元的工艺、设计、集成和器件操作，是评价NAND技术的重要标准。

🌐 技术竞争持续升温：随着三星、海力士、美光等国际大厂不断推陈出新，3D NAND技术的竞争愈发激烈。各家厂商在提升VCE值上不断努力，以期在存储市场中占据有利地位。

🔧 VCE指标重要性：VCE作为NAND技术的核心指标，其高低直接影响到存储产品的性能和可靠性。高VCE值意味着更高的存储密度和更优的能耗表现，对半导体设备产业链的发展具有深远影响。

💡 长江存储的创新：长江存储在3D NAND技术上的突破，不仅提升了自身产品的竞争力，也为国内半导体设备产业链的发展提供了动力，有望推动整个行业的技术进步。

🏭 半导体设备产业链受益：长江存储的技术领先，为半导体设备产业链带来了积极影响，预计将促进相关设备和材料的需求增长，对整个产业链形成正向推动。

TechInsights发布3D NAND 最新产品比较并更新技术路线图，NAND技术竞争持续升温，长江存储产品力领先，持续推荐【半导体设备】产业链 #TechInsights对比TOP闪存厂商产品：近期，TechInsights对外发布三星、海力士、美光、长江存储 2XXL 3D NAND产品的垂直单元效率（VCE）比较，VCE对于NAND单元的工艺、设计、集成和器件操作非常重要，是最核心的技术指标之一。根据分析，三星236L 2代 COP V-NAND VCE达到 94.8%；长江存储 Xt