Quinas公司宣布获得110万英镑资金，用于推动其发明的ULTRARAM存储技术的大规模生产。该技术结合了NAND闪存和DRAM内存的优点，目标是在保持高速与耐用性的同时，实现更长的数据保存时间。

🚀 ULTRARAM技术的创新：由兰卡斯特大学教授Manus Hayne发明，ULTRARAM旨在融合非易失性存储NAND的持久性与DRAM的高速性能，为存储领域带来革新。

💰 资金支持：Quinas公司获得Innovate UK基金会提供的110万英镑（约1038万元人民币）资金，用于将ULTRARAM晶圆直径扩大并采用IQE公司的MOCVD生产技术。

🔧 生产规模的扩大：资金将用于将ULTRARAM晶圆从3英寸扩大到6英寸，并最终目标是在8英寸晶圆上制造，以适应晶圆厂的工业工艺。

🔋 耐用性与保存时长：Quinas声称，ULTRARAM技术能够承受高达1000万次的写循环，且存储的电荷可以在1000年内不泄露，展现了其卓越的耐用性与数据保存能力。

IT之家 7 月 15 日消息，由 IQE、兰卡斯特大学和卡迪夫大学共同创立的初创公司 Quinas 宣布已从 Innovate UK 基金会获得 110 万英镑（IT之家备注：当前约 1038 万元人民币），以进一步推动 ULTRARAM 的大规模生产。

据介绍，ULTRARAM 由兰卡斯特大学教授 Manus Hayne 发明，其目标是结合非易失性存储 NAND 与 DRAM 的速度与耐用性。

这 110 万英镑资金将被用于将 ULTRARAM 晶圆直径由 3 英寸扩大到 6 英寸，并使用 IQE 公司的金属有机化合物气相外延（MOCVD）主流生产技术实现。该项目为期一年。

下一阶段目标是在完整的 8 英寸晶圆上制造，然后将该工艺转化为适合晶圆厂的工业工艺。

IT之家此前报道，Quinas 声称 ULTRARAM 技术最高可承受 1000 万次写循环，存储到 ULTRARAM 单元中的电荷可以存储 1000 年而不泄露。