浙江驰拓科技在IEDM会议上发布了SOT-MRAM技术的重大进展，成功解决了大规模生产中的关键挑战。他们创新地提出了无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，简化了制造工艺，提高了器件良率。该结构通过将MTJ直接置于底部电极之间并允许过刻蚀，显著增加了刻蚀窗口，使得12英寸晶圆上的位元良率从99.6%提升至超过99.9%。同时，该器件还实现了2纳秒的写入速度和超过1万亿次的写入/擦除操作次数，展现了巨大的微缩潜力。这项技术突破有望推动SOT-MRAM替代CPU缓存，解决SRAM的成本和功耗问题。

🚀 驰拓科技提出了无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了工艺复杂性和难度，从根本上提升了器件良率。

🔬 该结构创新地将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，大幅增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀难度。

📈 12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，满足大规模制造的要求。

⏱️ 器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作，具备持续微缩潜力。

💡 SOT-MRAM有望替代CPU各级缓存，解决SRAM成本和静态功耗问题。

在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。

同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。

传统方案

驰拓科技创新方案

据了解，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。