SK 海力士计划在 2025 年底完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，并于 2026 年第二季度开始大规模生产。与以往相比，SK 海力士将缩短新一代 NAND 的开发周期，预计未来两代 NAND 之间的时间间隔将缩短至约 1 年。SK 海力士将采用全新的结构设计，将外围电路和存储单元分别制造在两块晶圆上，然后通过 W2W 混合键合技术将这两部分整合为完整的闪存。这种设计类似于长江存储 Xtacking 和铠侠-西部数据的 CBA 结构。SK 海力士正在构建所需的原材料和设备供应链，并对混合键合技术和材料进行审查。三星电子也正在考虑在其下一代 NAND 生产中应用混合键合技术。

🤔 SK 海力士计划在 2025 年底完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，并于 2026 年第二季度开始大规模生产。这一举措表明 SK 海力士正在加速下一代 NAND 闪存的研发，并希望在竞争激烈的存储市场中保持领先地位。与以往相比，SK 海力士将缩短新一代 NAND 的开发周期，预计未来两代 NAND 之间的时间间隔将缩短至约 1 年。这将有助于 SK 海力士更快地推出更高容量、更高性能的存储产品，满足不断增长的市场需求。

🚀 SK 海力士将采用全新的结构设计，将外围电路和存储单元分别制造在两块晶圆上，然后通过 W2W 混合键合技术将这两部分整合为完整的闪存。这种设计类似于长江存储 Xtacking 和铠侠-西部数据的 CBA 结构。混合键合技术能够有效地提高芯片的集成度，降低生产成本，并提升性能。SK 海力士选择采用这种新的结构设计，表明其正在积极探索新的技术路径，以突破传统 NAND 闪存的瓶颈，实现更大的存储容量和更高的性能。

💪 SK 海力士正在构建所需的原材料和设备供应链，并对混合键合技术和材料进行审查。这表明 SK 海力士正在为下一代 NAND 闪存的量产做准备，并积极推动相关技术的发展。此外，三星电子也正在考虑在其下一代 NAND 生产中应用混合键合技术。这表明混合键合技术将成为未来 NAND 闪存发展的重要趋势，并将推动存储技术向更高密度、更高性能的方向发展。

IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。

按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。

IT之家注：从代际发布间隔来看，美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。

韩媒在报道中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D NAND”的整体结构：

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后采用 W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两部分整合为完整的闪存。

换句话说，SK 海力士也将采用类似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构设计。

报道指出，SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外三星电子也考虑在下一代 NAND 生产中应用混合键合。