集邦咨询报告指出，苹果公司计划最早在2026年将QLC NAND闪存技术应用于iPhone，届时存储容量有望达到2TB。QLC NAND较TLC存储密度提高33%，但速度略慢，耐久度较低，适合非写入密集型应用。

📱 苹果公司计划在2026年的iPhone产品中采用QLC NAND闪存技术，此举将使得iPhone的存储上限提升至2TB。QLC NAND技术较现有的TLC NAND存储密度提高33%，每个存储单元可以存储4bit数据，但相比TLC，其速度略慢，耐久度也更低。

🚀 QLC NAND的引入，将使得iPhone在存储容量上有更大的提升，尽管其P/E Cycle（编程擦除周期）通常在100到1000之间，但通过实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和磨损平衡技术，仍能维持其可靠性。

🧠 苹果公司还在探索使用NAND闪存来存储大型语言模型（LLMs），以实现在本地运行更多AI任务。QLC NAND的采用可能有助于改善Apple Intelligence的性能表现，尽管其耐用性较TLC NAND差。

IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 产品中，让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元），每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

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