SK海力士宣布将在2025年量产400层堆叠的NAND闪存，再次领先业界。为了实现如此密集的堆叠，SK海力士采用了4D NAND闪存和W2W（wafer-to-wafer）结构，将两块晶圆键合在一起，与传统的PUC结构不同。这项技术涉及到连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。SK海力士去年已经展示了321层堆叠闪存的样品，是第一家做到300+层的，其他厂商也都在积极研发更高层数的闪存，例如三星、美光、铠侠等。

💥 SK海力士将在2025年量产400层堆叠的NAND闪存，再次领先业界。为了实现如此密集的堆叠，SK海力士采用了4D NAND闪存和W2W（wafer-to-wafer）结构，将两块晶圆键合在一起，与传统的PUC结构不同。这项技术涉及到连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。

🚀 SK海力士去年已经展示了321层堆叠闪存的样品，是第一家做到300+层的，而且是TLC。其他厂商方面，三星已经量产290层闪存，目标是2030年超过1000层。美光已经将276层闪存投入实用。铠侠去年达成了218层，暗示有望在2027年就达到1000层。

💡 SK海力士的这项技术与长江存储的晶栈结构颇为相似，都体现了通过高密度堆叠来提升存储容量的趋势。未来，随着技术的不断进步，预计NAND闪存的层数会继续增加，存储容量也会不断提升。

快科技8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。

为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶圆键合在一起，和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。

这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。

其实，这就颇有点长江存储晶栈结构的味道了。

SK海力士在去年8月已经展示了321层堆叠闪存的样品，是第一家做到300+层的，而且是TLC。

其他厂商方面，三星已经量产290层闪存，目标是2030年超过1000层。

美光已经将276层闪存投入实用。

铠侠去年达成了218层，暗示有望在2027年就达到1000层。

长江存储……不公开，也不能说。