浙江驰拓科技在IEDM会议上发布了SOT-MRAM技术的重大突破，成功解决了该技术大规模生产中的挑战。他们创新地提出了无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，简化了工艺流程，提升了器件良率。新结构通过将MTJ直接置于底部电极之间并允许过刻蚀，大幅增加了刻蚀窗口，使得12英寸晶圆上的SOT-MRAM器件位元良率从99.6%提升至99.9%以上。同时，该器件还实现了2纳秒的写入速度和超过1万亿次的写入/擦除操作，具备持续微缩潜力。这一技术进步有望推动SOT-MRAM在高性能非易失存储领域的应用。

🚀 驰拓科技创新提出无轨道垂直型SOT-MRAM结构，显著降低了SOT-MRAM工艺的复杂度和难度，为大规模生产奠定了基础。

🎯 新结构将MTJ直接放置在底部电极之间，允许过刻蚀，大幅增加了刻蚀窗口，使得12英寸晶圆上的器件位元良率从99.6%提升至99.9%以上。

⏱️ 该SOT-MRAM器件实现了2纳秒的写入速度，并具备超过1万亿次的写入/擦除操作次数，展现出卓越的性能和耐久性。

🔬 传统SOT-MRAM方案在刻蚀良率方面存在瓶颈，而驰拓科技的创新方案从原理上解决了这一问题，大幅提升了器件良率。

快科技12月26日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。

同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。

传统方案

驰拓科技创新方案

据了解，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。