🧐SK海力士计划开发4F2结构（垂直栅）的DRAM，这是其在存储技术领域的新举措。此结构有望提升DRAM的性能和效率，为公司在市场竞争中赢得优势。

🤔自1c DRAM商业化以来，EUV工艺成本快速上升，SK海力士研究员对此表示担忧。他们认为现在需要认真思考使用EUV制造DRAM是否真的具有经济效益。

👀SK海力士的这一计划和对EUV工艺的质疑，反映了存储行业在技术发展和成本控制方面所面临的挑战。这也促使企业不断探索新的技术路径和解决方案，以实现可持续发展。

格隆汇8月13日｜SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM，就像其竞争对手三星一样。SK海力士研究员指出，自1c DRAM商业化以来，极紫外(EUV)工艺的成本一直在快速上升，现在是时候质疑使用EUV制造DRAM是否有利可图了。