NEO Semiconductor发布了1T1C和3T0C两种3D X-DRAM单元设计，旨在颠覆DRAM内存。这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容架构，预计2026年推出测试芯片。新设计有望使单个模块的容量达到512Gb（64GB），是现有DRAM的10倍。测试显示，读写速度达10纳秒，保留时间超9分钟。采用氧化铟镓锌（IGZO）材料，可堆叠设计，提高容量和吞吐量。NEO Semiconductor的目标是引领下一代内存技术。

💡 NEO Semiconductor推出了两种3D X-DRAM单元设计，分别是1T1C（单晶体管单电容）和3T0C（三晶体管零电容），旨在革新DRAM内存。

💾 这两种新设计预计将于2026年推出概念验证测试芯片，并有望将单个模块的容量提升至512Gb（64GB），是当前DRAM模块容量的10倍以上。

⚡️ 在测试模拟中，这些单元的读写速度可达10纳秒，保留时间超过9分钟，性能表现优异，处于当前DRAM技术的前沿水平。

⚙️ 新设计采用了基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，并可像3D NAND一样构建，通过堆叠设计提高容量和吞吐量，同时保持节能特性。

快科技5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C，有望彻底改变DRAM内存的现状。

这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，并将提供比当前普通DRAM模块10倍的容量。

基于NEO的3D X-DRAM技术，新设计的内存单元能够在单一模块上容纳512Gb（64GB）的容量，这比目前市面上任何模块至少多出10倍。

在NEO的测试模拟中，这些单元的读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟，这两项性能指标均处于当前DRAM能力的前沿。

新设计采用了基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建，采用堆叠设计，从而提高容量和吞吐量，同时保持节能状态。

NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性。这项创新突破了当今DRAM的扩展限制，使NEO成为下一代内存的领导者。”

NEO Semiconductor计划在本月的IEEE国际存储器研讨会上分享更多关于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的信息。