SK海力士全球首次开发出第六代10纳米级16Gb DDR5 DRAM,用于高性能数据中心,运行速度达8Gbps,较前代提高11%的速度和9%以上的能效,计划在今年完成量产准备,明年开始供应产品。
媒体报道
SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM | 界面/财联社 |
---|---|
SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11% | IT 之家 |
事件追踪
2024-08-27 16:19:09 | SK海力士副总裁:存储产品控制器2~3年后将导入Chiplet 技术 |
---|---|
2024-08-19 13:01:15 | SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机 |
2024-08-14 20:56:31 | 消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产,目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18% |
2024-08-14 14:31:18 | SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本 |
2024-08-13 14:46:56 | SK 海力士:内存 EUV 光刻成本快速增长,考虑转向 4F2 或 3D DRAM |
2024-08-01 14:19:10 | 消息称SK海力士加速NAND研发,400+层闪存明年末量产就绪 |
2024-06-24 12:06:04 | SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率据悉已达56.1% |
2024-06-19 21:16:05 | SK 海力士展示 HBM3E、CMM-DDR5 等 AI 内存解决方案 |
2024-06-12 13:41:27 | SK 海力士将于 2025 年一季度量产 GDDR7 显存 |
2024-05-30 08:45:56 | 消息称 SK 海力士将在 1c DRAM 生产中采用新型 Inpria MOR 光刻胶 |