Ferroelectric Memory Co. (FMC) 与Neumonda合作，推出名为“DRAM+”的新型内存架构，旨在融合DRAM的高速性能与非易失性数据保留能力。该技术的核心是使用铁电氧化铪（HfO2）元件替代DRAM中的电容器，从而在无需电源的情况下持久存储数据，并保持纳秒级访问速度。DRAM+技术针对特定应用，如AI加速器、汽车电子控制单元（ECU）和医疗植入物，通过消除刷新周期来降低静态功耗。尽管双方合作已达成，但尚未公布商用产品的具体生产时间表。

⚡️DRAM+技术的核心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统DRAM中的电容器。HfO2元件能够在无需电源的情况下持久存储数据，并保持纳秒级的访问速度，解决了高速DRAM与NAND闪存等存储之间的性能差距。

⚙️HfO2元件具有更高的可扩展性，能够与现有的半导体制造工艺兼容，支持10纳米以下的制造工艺，并实现千兆位级别的存储密度。这使得DRAM+技术在未来具有更大的发展潜力。

💡DRAM+技术主要针对需要持久性、低功耗和高性能的特定应用，如AI加速器、汽车电子控制单元（ECU）以及医疗植入物等。通过消除传统的刷新周期，DRAM+能够显著降低静态功耗，相比传统单晶体管/单电容器DRAM单元更具优势。

🤝Neumonda将为FMC提供其先进的测试平台套件Rhinoe、Octopus Raptor，用于电气特性和分析。双方的合作将加速DRAM+技术的研发和应用，但尚未公布商用DRAM+产品的具体生产时间表。

快科技4月9日消息，据媒体报道，近日，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与Neumonda宣布建立合作伙伴关系，致力于将一种名为“DRAM+”的新型内存架构推向市场。

这种内存技术将DRAM的高速性能与非易失性数据保留能力相结合，解决了高速DRAM与NAND闪存等存储之间的性能差距。

DRAM+技术的核心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统DRAM中的电容器，HfO2元件能够在无需电源的情况下持久存储数据，还能保持纳秒级的访问速度。

与过去使用的锆钛酸铅（PZT）相比，HfO2具有更高的可扩展性，能够与现有的半导体制造工艺兼容，支持10纳米以下的制造工艺，并实现千兆位级别的存储密度。

FMC的DRAM+技术主要针对需要持久性、低功耗和高性能的特定应用，如AI加速器、汽车电子控制单元（ECU）以及医疗植入物等。

通过消除传统的刷新周期，DRAM+能够显著降低静态功耗，相比传统单晶体管/单电容器DRAM单元更具优势。

Neumonda将为FMC提供其先进的测试平台套件Rhinoe、Octopus Raptor，用于电气特性和分析，不过双方尚未公布商用DRAM+产品的具体生产时间表。