TechInsights和SemiWiki的博文对比了英特尔18A和台积电N2工艺。英特尔18A在性能上更胜一筹，而台积电N2可能在晶体管密度上更具优势。台积电N2高密度标准单元晶体管密度达到313 MTr / mm^2，高于英特尔18A的238 MTr / mm^2和三星SF2/SF3P的231 MTr / mm^2。然而，英特尔18A支持PowerVia背面供电网络，可能提升其性能和晶体管密度。英特尔计划于2025年中量产18A，台积电N2预计2025年底量产，三星SF2量产时间未定。TechInsights的评估方法存在争议，其预测可能不够准确。

📊台积电N2工艺在高密度(HD)标准单元晶体管密度上具有显著优势，达到313 MTr / mm^2，超过英特尔18A和三星SF2 / SF3P。

🚀英特尔18A工艺在性能方面预计将领先于台积电N2和三星SF2，这得益于其对PowerVia背面供电网络的支持，尽管并非所有18A芯片都会使用该技术。

📅英特尔计划于2025年中开始量产18A工艺，首批产品为Core Ultra 3系列“Panther Lake”处理器；台积电N2工艺预计于2025年底开始大规模生产，首批产品预计2026年中上市。

IT之家 2 月 15 日消息，TechInsights 和 SemiWiki 于 2 月 10 日发布博文，披露了英特尔 Intel 18A（1.8nm 级别）和台积电 N2（2nm 级别）工艺上的关键信息。整体而言，Intel 18A 工艺在性能方面更胜一筹，而台积电的 N2 工艺则可能在晶体管密度方面更具优势。

TechInsights 的分析显示，台积电 N2 工艺的高密度 (HD) 标准单元晶体管密度达到了 313 MTr / mm^2，远超 Intel 18A (238 MTr / mm^2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / mm^2)。

IT之家注：现代高性能处理器通常混合使用高密度 (HD)、高性能 (HP) 和低功耗 (LP) 标准单元，但目前尚不清楚英特尔和台积电的 HP 和 LP 标准单元的性能对比情况。

TechInsights 认为，台积电 N2 工艺在 HD 标准单元上具有晶体管密度优势，但在其他类型的标准单元上优势可能并不明显；在性能方面，英特尔的 Intel 18A 工艺将领先于台积电的 N2 和三星的 SF2。

但需要注意的是，TechInsights 的评估方法存在一定争议，他们以台积电的 N16FF 和三星的 14nm 工艺作为基准，并结合两家公司宣布的节点到节点的性能改进进行预测，这种方式可能不够准确。

Intel 18A 工艺支持 PowerVia 背面供电网络，这可能使其在性能和晶体管密度方面优于不支持该技术的台积电 N2，但并非所有 18A 芯片都会使用 PowerVia 技术。

英特尔计划于 2025 年年中开始量产 18A 工艺，首批产品将是 Core Ultra 3 系列“Panther Lake”处理器。

台积电的 N2 工艺预计将于 2025 年底开始大规模生产，首批产品预计最早将于 2026 年年中上市，大众市场产品预计将于 2026 年秋季上市。三星尚未公布 SF2 工艺的具体量产时间，仅表示将在 2025 年。