长江存储在美限制下，用国产设备替代部分美系设备，自研架构具竞争优势，虽仍依赖外国供应商关键工具，但国产设备承担大部分生产流程，其新NAND芯片有妥协，公司正优化产品性能。

🥇长江存储面临美国出口限制和被列入实体清单的压力，但成功采用国产半导体设备替代部分美系设备，展现了其在困境中的积极应对和突破。其中，使用了中微半导体设备公司、北方华创、拓荆科技的相关设备制造3DNAND闪存芯片。

💪长江存储自研的Xtacking架构使3DNAND的层数可堆叠到232层，这使其在与美光、三星和SK海力士等知名制造商的竞争中具有较强优势，体现了其技术实力和创新能力。

🤔尽管长江存储在一定程度上仍依赖ASML和泛林集团等外国供应商的关键工具，但中国国产半导体设备供应商在生产流程中承担的部分越来越多，这为中国半导体产业的发展带来了希望。不过，长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上有所妥协，且产量较低。

🎯长江存储回应称正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，且随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数，显示出其对未来发展的信心和决心。

快科技9月20日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

TechInsights称，虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

不过长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。

对此长江存储在回应中表示，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数。