长江存储 (YMTC) 在美国加州北区法院对美光科技提起专利诉讼，指控美光科技未经授权使用其 11 项涉及 3D NAND 闪存芯片技术的专利，要求美光停止销售侵权产品并支付专利使用费。长江存储称美光 96 层、128 层、176 层和 232 层系列 3D NAND 闪存芯片以及部分 DDR5 SDRAM 内存侵犯了其专利，并列举了包括 3D NAND 结构、TAC 技术、读取时间等方面的 8 项专利。

😁 长江存储指控美光科技侵犯其 11 项专利，这些专利涵盖了 3D NAND 闪存芯片的多个关键技术领域，包括 3D NAND 结构、TAC 技术、读取时间等。

😎 长江存储列举了 8 项具体专利，包括 US10950623、US11501822、US10658378、US10937806、US10861872、US11468957、US11600342 和 US10868031，这些专利涵盖了 3D NAND 闪存芯片的设计、制造和操作方法。

🤓 长江存储要求美光停止销售侵犯知识产权的内存产品，并支付专利使用费，这一诉讼可能对美光造成重大影响，并可能引发半导体行业内的专利纠纷。

🤩 长江存储在面临美国出口管制的情况下，仍然成功研发了高阶 3D NAND 芯片，包括晶栈 3.0 和晶栈 4.0，并提升了 3D QLC NAND 芯片的耐用性，展现了其强大的技术实力。

😉 这场专利诉讼将对半导体行业的发展产生重大影响，并可能引发更多关于知识产权保护的讨论。

😮 长江存储的诉讼表明，中国半导体企业正在积极寻求技术突破，并加强知识产权保护，这将对未来全球半导体产业格局产生重要影响。

半导体制造商长江存储 (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. , YMTC) 日前已经在美国加利福利亚州北区法院对美光科技提起专利诉讼，长江存储指控美光科技在未取得授权的情况下使用长江存储持有的 11 项专利技术，这些专利技术涉及 3D NAND 闪存芯片的各个方面。

基于美光科技侵犯专利以及销售侵犯知识产权的内存产品，长江存储要求法院下令美光科技在美国市场停止销售内存产品并向长江存储支付专利使用费。

在法庭文件中长江存储称美光科技的 96 层 (B27A)、128 层 (B37R)、176 层 (B47R) 和 232 层 (B58R) 系列 3D NAND 闪存芯片以及美光科技的部分 DDR5 SDRAM 内存 (Y2BM 系列) 侵犯了 11 项专利或正在申请中的专利。

长江存储在法庭文件中引用的 8 项专利包括：

US10950623：3D NAND 存储器装置及其形成方法US11501822：非易失性存储装置及其控制方法 **(已提交申请但尚未获得批准)US10658378：用于三维存储设备的直通整列接触 (TAC)US10937806：用于三维存储设备的直通整列接触 (TAC)US10861872：三维存储器件及其形成方法US11468957：NAND 存储器操作架构和方法 **(已提交申请但尚未获得批准)US11600342：三维存储器件的读取时间 **(已提交申请但尚未获得批准)US10868031：多堆栈三维存储器件及其制作方法

美国商务部已经在 2022 年将长江存储添加到出口管制名单中，禁止美国科技公司或使用美国技术的外国公司向长江存储提供任何包含美国技术的软件、硬件或其他服务，这阻碍了长江存储发展存储芯片的进度。

不过最终长江存储还是突破了限制成功研发高阶 3D NAND 芯片，包括已经量产的晶栈 3.0 (Xtacking 3.0) 以及正在开发中的晶栈 4.0 (Xtacking 4.0) 3D NAND 闪存芯片。

此外长江存储此前还透露已经成功将 3D QLC NAND 芯片的耐用性大幅度提高到 3D TLC NAND 的水平，即达到 4000 次编程 / 擦除周期，这显著改善了 QLC 隔离的使用寿命、将有助于提高 QLC 固态硬盘的大规模投入市场。