颠覆性纳秒级超快存储闪存技术,突破硅基闪存物理尺寸极限上述研究将推动超快闪存技术的产业化应用。今日重要性:✨据上证报报道,从复旦大学获悉,该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发,在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限,约15纳米。在原子级薄层沟道支
💥复旦大学周鹏-刘春森团队从界面工程出发,首次实现最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,此成果具有重要意义。该技术的超快特性可延伸至亚10纳米,为闪存技术的发展带来新的可能。
🎯研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,这一工艺的创新使得闪存器件的制造更加便捷和高效。同时,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。
🚀该器件突破了硅基闪存物理尺寸约15纳米的极限,在原子级薄层沟道支撑下,展现出了卓越的性能。这一突破为超快闪存技术的产业化应用奠定了坚实基础。
颠覆性纳秒级超快存储闪存技术,突破硅基闪存物理尺寸极限上述研究将推动超快闪存技术的产业化应用。今日重要性:✨据上证报报道,从复旦大学获悉,该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发,在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限,约15纳米。在原子级薄层沟道支
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