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国产存储厂商加速崛起 AI驱动下内存产品Q3或延续涨价
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长鑫存储启动上市辅导,标志着中国DRAM产业的重要进展。作为国内规模最大、技术最先进的DRAM制造商,长鑫存储的崛起,对提升国内半导体产业地位、降低进口依赖具有重要意义。文章分析了DRAM/NAND价格上涨的原因,包括原厂减产和下游备货。展望未来,HBM、eSSD等国产化率持续提升,AI服务器对存储需求增长,为国产存储厂商提供了广阔的发展空间。

🏭长鑫存储启动上市辅导:作为中国大陆规模最大、技术最先进的DRAM制造商,长鑫存储的上市辅导,是中国存储产业发展的重要里程碑。

📈DRAM/NAND价格上涨:由于三星、SK海力士、美光等原厂减产DDR4,转向高利润产品,导致供应锐减,下游厂商提前备货也推高了现货价格。预计第三、四季度存储大板块或持续涨价。

💻AI服务器驱动存储需求:AI服务器对存储容量和性能提出更高要求,推动存储器向更大容量、更快速度、更低延迟发展。预计2025年全球人工智能存储支出将达76亿美元,2028年有望达到102亿美元。

🚀国产存储加速替代:随着数据中心等下游产业对自主可控的重视,江波龙、佰维存储等国产存储厂商正通过技术突破,加速国产替代进程,迎接发展机遇。


《科创板日报》7月8日讯 近日,证监会官网显示,国产DRAM内存芯片大厂长鑫存储启动上市辅导,辅导机构为中国国际金融股份有限公司、中信建投证券股份有限公司。

官方资料介绍,长鑫存储成立于2016年,主要从事动态随机存取存储器(DRAM)产品的研发、设计生产及销售。长鑫存储是中国大陆规模最大、技术最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业,在国内外拥有多个研发中心和分支机构。

华安证券认为,长鑫存储与长江存储的崛起,对国内存储产业乃至整个半导体行业都具有深远的影响。一方面,它们的成功为国内其他存储企业树立了榜样,带动了整个产业的技术升级与发展。另一方面,国内存储企业的壮大,也有助于提升我国在全球半导体产业链中的地位,降低对进口存储芯片的依赖,保障国家信息安全。

当前,DRAM/NAND价格持续上升。据华鑫证券统计,DDR4芯片的价格在过去两个月内上涨了两倍。该机构指出,此轮DDR4主要涨价原因系三星、SK海力士、美光等原厂加速退出DDR4生产,转向高利润的DDR5和HBM,导致供应锐减。同时,下游厂商为应对2025年底可能的断供风险,提前启动大规模备货,推升现货价格。

展望第三、四季度,天风证券表示,存储大板块或持续涨价。其中HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高难度高速发展产品国产化率持续提升,国内存储市场进一步加速成长。以DDR4/DDR5为例,其订单能见度直达第三季度,预计上游原厂DDR4第三季度合约价上涨30-40%,第四季度预期持续上涨

NAND方面,根据CFM闪存市场及Trendforce预测,部分服务器OEM及Tier2互联网厂商库存调整后下半年需重建库存,存储原厂启动新季度价格谈判,部分原厂为改善NAND盈利,三季度eSSD普遍报涨,合约价预计涨5%-10%

除供需双振驱动价格持续上扬外,华创证券认为,AI服务器为全球存储市场增长核心引擎。该机构指出,存储器为数据存储直接载体,大模型迭代下容量以及性能有望同步进阶。存储正向更大容量、更快读写速度、更低延迟发展,以支持高效的数据处理与模型训练,预计2025年全球企业的人工智能存储支出达到76亿美元,2028年有望达到102亿美元。

国产化方面,上述机构指出,随着数据中心、云计算等下游产业对安全自主可控的重视程度不断提高,国产存储器厂商将迎来广阔的发展空间。目前,江波龙、佰维存储、德明利、联芸科技、万润科技、朗科科技等国产存储模组、主控芯片厂商正通过技术、企业级突破、主控芯片自研及前沿接口技术应用,全方位提升竞争力,加速国产替代进程。

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