据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
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