三星在先进内存技术领域取得突破，第六代10纳米DRAM（1c DRAM）测试良率显著提升至50%-70%，远超去年不到30%的水平。三星选择与SK海力士和美光不同的技术路线，押注1c DRAM，旨在提高生产效率并扩大制造规模。预计今年底前，三星华城和平泽工厂将提高1c DRAM产量，为HBM4的量产奠定基础。尽管HBM4仍处于早期阶段，三星计划在今年晚些时候开始量产。此前，三星曾因重新设计芯片导致量产推迟一年，但旨在实现更高的性能和良率。新DRAM产品将在平泽4号线工厂生产，HBM4相关生产将在平泽3号线工厂进行。

📈 三星1c DRAM良率大幅提升：三星第六代10纳米DRAM（1c DRAM）测试良率已达50%-70%，相较于去年的不到30%有了显著提升。

💡 技术路线选择：三星选择生产更新的1c DRAM，而SK海力士和美光则坚持使用1b DRAM技术生产HBM4产品。这是一种风险更大但潜在回报也更高的策略。

🏭 生产扩产计划：三星计划在其华城和平泽工厂提高1c DRAM的产量，扩产活动预计将于今年年底前开始。

🚀 HBM4生产计划：三星计划在今年晚些时候开始量产HBM4产品，这些进展也支持了三星的HBM4生产计划。

⏳ 生产延迟与优化：三星曾因重新设计芯片导致量产推迟一年，旨在实现更高的性能和良率，新DRAM产品将在平泽4号线工厂生产，HBM4相关生产将在平泽3号线工厂进行。

据 TrendForce 援引 Sedaily 报道，三星在其先进内存技术方面取得了更佳的成果。该公司第六代 10 纳米 DRAM（称为 1c DRAM）的测试良率目前已达到 50% 至 70%，较去年不到 30% 的良率有了显著提升。

三星与其竞争对手走上了不同的道路。SK海力士和美光坚持使用 1b DRAM 技术生产 HBM4 产品，而三星则选择生产更新的 1c DRAM。这种选择风险更大，但也有可能带来更大的回报，因为生产率的提高使三星能够扩大其制造业务。该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM 的产量，预计扩产活动将于今年年底前开始。

这些进展也支持了三星的 HBM4 生产计划，因为该公司计划在今年晚些时候开始量产 HBM4 产品。然而，业内专家指出，该产品仍处于早期阶段，需要持续关注。

三星原计划于2024年底开始量产第六代10纳米DRAM。然而，该公司选择重新设计芯片。这一决定导致芯片生产延迟了一年多，但其目的是为了实现更高的性能和良率。新的DRAM产品将在三星平泽4号线工厂生产，因为这些芯片将同时用于移动和服务器应用。此外，HBM4相关的生产将在平泽3号线工厂进行。

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