复旦大学周鹏、刘春森团队在集成电路领域取得重大突破，研制出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。该器件通过构建准二维泊松模型，预测并实现了超注入现象，其擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），超越了现有存储速度的理论极限，性能优于同技术节点下的SRAM。这项技术有望颠覆现有存储器架构，实现存储与计算速度的同步，并为AI大模型的本地部署提供可能。目前，Kb级芯片已成功流片，计划在3-5年内实现几十兆级别的集成，为产业化奠定基础。

💡复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，理论上预测了超注入现象，为“破晓（PoX）”皮秒闪存器件的研发奠定了基础。

⚡️“破晓（PoX）”皮秒闪存器件的擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，远超同技术节点下最快的易失性存储SRAM技术。

🚀该技术实现了存储、计算速度相当，有望彻底颠覆现有存储器架构。未来的个人电脑将不再需要区分内存和外存，并能实现AI大模型的本地部署。

🔬目前，Kb级芯片已成功流片。团队计划在3-5年内将其集成到几十兆的水平，为后续授权给企业进行产业化做好准备。

日前，复旦大学宣布，时隔2周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。

其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。

相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《自然》期刊上发表。

据了解，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。

在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。

团队将“破晓”与CMOS结合，以此打造出的Kb级芯片目前已成功流片，下一步，计划在3-5年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。