SK 海力士在 DRAM 技术上取得重大进展，尤其是在 1c DRAM 模块的良率方面实现了显著提升。据报道，其良率已达到 80%-90%，这使其在消费级内存和 HBM 领域占据优势。该公司正专注于 HBM4 内存模块的推出，预计将带来计算能力的革新。SK 海力士在 HBM4 的大规模生产方面已领先于三星等竞争对手，巩固了其在 DRAM 领域的领先地位。

📈 SK 海力士大幅提高了 1c DRAM 的良率，目前已达到 80%-90%。这一进展标志着该公司在 DRAM 技术上的重大突破。

🚀 这一技术突破使 SK 海力士在消费级内存和 HBM 领域占据优势，特别是在 HBM4 内存模块的生产上，该公司计划推出该模块。

💡 SK 海力士将成为首家大规模生产 HBM4 的公司，领先于竞争对手。HBM4 标准被认为是计算能力的下一次革命。

⏳ 由于工厂专注于 HBM4 的生产，基于 1c 的 DDR5 内存解决方案预计不会很快进入市场。但 DRAM 技术将在 HBM4 上发挥作用，可能是更出色的 HBM4E。

据报道，SK 海力士的 1c DRAM 模块实现了“惊人的”成品率，使这家韩国巨头成为该领域的主导力量。HBM 赛道竞争相当激烈，SK 海力士似乎已经成功控制了其他竞争对手。该部门专注于推出 HBM4 内存模块，据说该标准将带来计算能力的“下一次革命”。

据韩国媒体Hankooki报道，SK 海力士已大幅提高 1c DRAM 的良率，这意味着该公司可以在消费级内存和 HBM 领域占据优势，尽管该公司预计将利用后者。

据称，10nm 第六代 DRAM 的良率现已达到 80%-90%，这是一个巨大的进步，早在 2024 年下半年该公司的良率就已达到 60%。由于目前工厂专注于 HBM4 的生产，预计“基于 1c”的 DDR5 内存解决方案不会很快进入市场。然而，我们可以看到 DRAM 技术在 HBM4 上发挥作用，很可能是更出色的 HBM4E。

凭借这一成就，SK 海力士目前已超越三星，在技术优势方面领先于 DRAM 领域。尽管三星开发自己的 1c DRAM 模块已有一段时间了，但该公司仍难以掌握主动权，SK 海力士将成为第一家开始大规模生产 HBM4 的公司，遥遥领先于竞争对手，而且看起来差距还会继续扩大。