韩媒报道，SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%，为量产奠定基础，预示其在HBM4市场竞争中占据优势。良率是衡量半导体良品比例的关键指标，SK海力士HBM4良率提升迅速，得益于第五代10nm级DRAM（1b）的应用，该技术已在HBM3e产品中验证。业内人士预测HBM4也将快速进入量产。SK海力士已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，通过后即可启动量产。HBM4有望部署在英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中，可能促使SK海力士加快提升HBM4良率和量产进程。

📈 SK海力士HBM4测试良率已达70%，相较于2024年底的60%有显著提升，表明其技术成熟度正在快速提高。

🔬 HBM4的进展得益于第五代10nm级DRAM（1b）的应用，该技术已在HBM3e产品中得到验证，确保了性能和稳定性。

🚀 SK海力士已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，预计通过后将迅速启动量产，满足市场需求。

💡 英伟达计划提前至2025年下半年量产“Grace Hopper”系列AI加速器，这可能进一步推动SK海力士加快HBM4的量产进程。

IT之家 2 月 27 日消息，韩媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）发布博文，报道称 SK 海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存 HBM4 测试良率已达 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基础，也预示着 SK 海力士在 HBM4 市场竞争中占据有利地位。

IT之家注：良率作为衡量半导体良品比例的关键指标，直接关系到企业的市场竞争力。SK 海力士的 12 层堆叠 HBM4 在 2024 年年底良率已达到 60%，而最新消息称测试良率已提升至 70%，进展迅速。

消息称 SK 海力士 HBM4 的进展，得益于其第五代 10nm 级 DRAM（1b）的应用，该技术在性能和稳定性方面已经过验证，并且也用于 SK 海力士的 HBM3e 产品。

鉴于 HBM3E 曾实现 80% 的目标良率并缩短 50% 的量产时间，业内人士预测 HBM4 12 层堆叠产品也将快速进入量产阶段。SK 海力士目前已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，通过后即可启动量产。

12 层堆叠 HBM4 有望部署在代号为英伟达下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中，而此前曝料称英伟达计划提前至 2025 年下半年量产“Grace Hopper”系列，这可能促使 SK 海力士进一步加快提升 HBM4 良率和量产进程，以满足客户需求。