铠侠与闪迪联合发布第10代BiCS 3D NAND闪存，在堆叠层数、存储密度和接口速率上均创新高。该闪存采用CBA双晶圆键合技术，堆叠层数达到空前的332层，存储密度提升至每平方毫米36.4Gb，传输速度高达4800MT/s。此外，新闪存还加入了PI-LTT低功耗技术，降低了输入和输出功耗，以满足AI技术的需求。铠侠的目标是在2027年实现1000层堆叠的3D闪存。

🚀 **3D堆叠层数突破新高**: 铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，3D堆叠层数达到了惊人的332层，远超其他厂商，为存储密度的提升奠定了基础。

💾 **存储密度显著提升**: 得益于332层堆叠，存储密度号称提升59％，达到每平方毫米36.4Gb，大幅领先西数和SK海力士。

⚡ **接口速率再创新高**: 新闪存支持Toggle DDR 6.0接口规范，传输速度高达4800MT/s，比前代提升33％，超过了美光、西数的3600MT/s。

💡 **低功耗技术加持**: 铠侠加入了PI-LTT低功耗技术，输入功耗降低10％，输出功耗降低34％，更适应AI技术的需求，提升能效。

铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，其实就是学习的长江存储的Xtacking晶栈架构。

3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西数的218层。

铠侠的目标，是在2027年造出1000层堆叠的3D闪存。

得益于更多层的堆叠，存储密度号称提升59％，算下来约为每平方毫米36.4Gb，同样远远领先友商，西数也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不过每平方毫米20Gb。

不过，铠侠暂未公布具体的闪存类型(TLC/QLC)，以及单Die容量。

新闪存同时支持Toggle DDR 6.0接口规范，传输速度高达4800MT/s，比前代提升33％，同样是新高，超过了美光、西数的3600MT/s。

此外，铠侠这次还加入了PI-LTT低功耗技术，输入功耗降低10％，输出功耗降低34％，可以更好地满足AI技术需求。