🧐NM101基于新型材料电阻变化原理，采用先进工艺制程与三维堆叠技术，集成百亿级非易失性存储器件，单芯片容量达64Gb，体现了高集成度的技术优势。

🚀NM101支持随机读写，较市面已有产品读写均提速10倍以上，寿命增加5倍，大幅提升系统解决方案性能，具有显著的性能提升特点。

💪新存科技NM101的研发成功是团队多年自主研发的成果，该芯片能为我国数据中心、云计算厂商等提供新型存储解决方案，彰显国内新型存储技术持续创新的特点。

IT之家 9 月 27 日消息，据《半导体行业观察》报道，新存科技 (武汉) 有限责任公司本月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。

NM101 基于新型材料电阻变化原理，采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件，单芯片容量达 64Gb。

新存科技 NM1013D 存储器芯片支持随机读写，较市面已有大容量非易失性产品读写均提速 10 倍以上的同时寿命也增加了 5 倍，能大幅提升系统解决方案的性能。

新存科技总经理刘峻表示：

NM101 的研发成功，是新存科技团队多年自主研发的成果。

这款芯片可以为我国的数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案，彰显了国内新型存储技术持续创新的特点。

我们期待这款产品能够为国产存储芯片生态的繁荣贡献一份力量。

新存科技官网资料显示，该公司成立于 2022 年 7 月，专注于 SCM（IT之家注：存储级内存）类别新型存储芯片的研发、生产、销售。