💡多重曝光技术是在光刻机性能不足时提升芯片制程的关键方法。不同型号光刻机有对应光刻精度，以ASML的1980Di光刻机为例，原本适合制造28nm，引入多重曝光技术后，可生产14nm甚至7nm制程芯片，充分展示了该技术的强大作用。

📌在美国制裁高端光刻机的情况下，通过低端光刻机结合多重光刻技术提高芯片制程成为可能。这为应对制裁、实现芯片制程的提升提供了新的思路和方法。

🤔按照公布一代，测试一代，研发一代的规律，此次公布65nm光刻机，引发了对28nm甚至14nm光刻机研发进展的猜测，也让人思考华为芯片的来源问题。

当光刻机性能不足时，多重曝光是变相提升芯片制程的唯一办法 不同型号光刻机有着相对应的光刻精度，比如ASML的1980Di光刻机，适合制造28nm，但引入“多重曝光”技术后，1980Di型号光刻机也可以生产14nm，甚至7nm制程芯片 这意味着在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机+多重光刻技术可以提高芯片制程。 按照公布一代，测试一代，研发一代。 此次公布65nm光刻机，是否意味着28nm，甚至14nm的也在路上。 要不然华为的芯片从哪里来的呢？ 根据华安电子研报，先进光刻机受限的背景下，