🦘光刻机的性能对芯片制程有重要影响。不同型号光刻机有相应光刻精度，如ASML的1980Di光刻机原本适合制造28nm，引入多重曝光技术后可生产14nm甚至7nm制程芯片。
🌐在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机结合多重光刻技术，能够变相提高芯片制程，为芯片制造提供了新的思路和方法。
❓文章按照公布一代，测试一代，研发一代的逻辑进行探讨，并提出疑问，此次公布65nm光刻机，是否意味着28nm甚至14nm的也在研发中，以及华为芯片的来源问题。
当光刻机性能不足时，多重曝光是变相提升芯片制程的唯一办法 不同型号光刻机有着相对应的光刻精度，比如ASML的1980Di光刻机，适合制造28nm，但引入“多重曝光”技术后，1980Di型号光刻机也可以生产14nm，甚至7nm制程芯片 这意味着在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机+多重光刻技术可以提高芯片制程。 按照公布一代，测试一代，研发一代。 此次公布65nm光刻机，是否意味着28nm，甚至14nm的也在路上。 要不然华为的芯片从哪里来的呢？ 什么是多重曝光？ 为了追求更高的图形密度和
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