三星2nm工艺良率仅为10-20%，远低于台积电的60-70%，导致三星计划更大规模裁员。三星2nm工艺采用MBCFET架构，旨在提升性能，但良率问题严重阻碍了量产进程。目前，台积电在全球晶圆代工市场占据主导地位，三星市场份额持续下降，面临着巨大压力。

🤔三星2nm工艺良率低迷，目前仅为10-20%，远低于台积电的60-70%。这使得三星在2nm工艺的量产方面面临着巨大的挑战，无法满足市场需求。

😔为了应对良率低迷的困境，三星计划在海外更大规模地裁员，从美国得克萨斯州的泰勒工厂撤回更多人员。这反映出三星在先进工艺领域正面临着巨大的压力。

💪三星2nm工艺采用MBCFET架构，旨在提升性能，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升最多46％，可变性降低26％，漏电率降低约50％。然而，良率问题严重阻碍了该技术的量产进程。

📉目前，台积电占据全球晶圆代工市场62.3％的份额，遥遥领先，三星虽然名义上是第二，但份额仅为11.5％，就连我国中芯国际都冲到了第三，已占据5.7％。三星在晶圆代工市场上的份额持续下降，面临着巨大的竞争压力。

在不靠谱这台路上，三星似乎一直很靠谱……

根据集邦咨询的最新报告，三星的2nm工艺仍然面临极大困难，目前的良品率只有可怜的10-20％，完全无法投入量产。

受此压力，三星计划在海外更大规模地裁员，从美国得克萨斯州的泰勒工厂撤回更多人员。

事实上，据称三星晶圆厂的整体良品率都不到50％，尤其是在3nm及更先进工艺上非常差劲。

要知道，台积电的整体良率约有60-70％。

三星官方的计划是，2025年量产2nm，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z等多个不同版本，2027年继续量产1.4nm。

据悉，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升最多46％，可变性降低26％，漏电率降低约50％。

此前还有说法称，三星3nm工艺良率不到20％，三星对此回应称，其在2022年全球首次量产3nm GAA工艺之后，第二代3nm工艺性能稳定，且产量已步入正轨。

目前，台积电占据全球晶圆代工市场62.3％的份额，遥遥领先，三星虽然名义上是第二，但份额仅为11.5％，就连我国中芯国际都冲到了第三，已占据5.7％。