IT之家 2024年09月11日
仅次于光刻、我国半导体制造核心技术突破,核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付
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国家电投所属核力创芯完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付,标志我国掌握相关核心技术和工艺,为国产替代奠定基础,该公司突破多项关键技术壁垒,产品主要技术指标达国际先进水平。

💥核力创芯完成首批氢离子注入性能优化芯片产品交付,这一成果补全我国半导体产业链中重要一环,对半导体产业发展具有重要意义。该芯片产品在多种半导体产品制造中起关键作用,此前我国此领域受国外制约,此次突破打破垄断。

🚀核力创芯在不到三年时间里,实现了100%自主技术和100%装备国产化,建成首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台,彰显了我国在该领域的技术实力和创新能力。

👍首批交付的芯片产品经历近万小时工艺及可靠性测试验证,主要技术指标达到国际先进水平,获得用户高度评价,体现了产品的高质量和可靠性。

IT之家 9 月 11 日消息,据国家电力投资集团有限公司(以下简称“国家电投”)9 月 10 日消息,近日,国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付

国家电投表示,这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是 600V 以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。

核力创芯在不到三年的时间里,突破多项关键技术壁垒,实现了 100% 自主技术和 100% 装备国产化,建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证,主要技术指标达到国际先进水平,获得用户高度评价。

IT之家查询获悉,国电投核力创芯(无锡)科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日,注册地位于江苏省无锡市,注册资本 7022.63 万元。

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