力积电宣布AMD等厂商将以其技术开发3DAI芯片,还推出通过认证的高密度电容IPD的2.5DInterposer,并曾与工研院合作开发3DAI芯片。
💻力积电的Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术,结合一线晶圆代工厂先进逻辑制程,开发高带宽、高容量、低功耗的3DAI芯片,为大型语言模型AI应用及AIPC提供解决方案,展现了其在芯片技术领域的创新能力。
🚀针对AI对GPU与HBM的需求,力积电推出的高密度电容IPD的2.5DInterposer通过国际大厂认证,并将在力积电铜锣新厂导入量产,这显示了其在满足市场需求方面的积极作为。
🌟此前,力积电与工研院合作开发全球首款专为生成式AI应用设计的3DAI芯片,体现了其在AI芯片领域的先行探索和研发实力。

9月4日,晶圆代工厂商力积电宣布,AMD等美国及日本厂商将以力积电Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术,结合一线晶圆代工厂的先进逻辑制程,开发高带宽、高容量、低功耗的3D AI芯片,为大型语言模型AI应用及AI PC提供低成本、高效能的解决方案。 针对AI带来的对于GPU与HBM需求,力积电推出的高密度电容IPD的2.5D Interposer(中介层),也通过了国际大厂认证,将在力积电铜锣新厂导入量产。 此前,力积电与工研院合作开发了全球首款专为生成式AI应用所设计的3D AI芯片,刚拿下20