三星电子高级副总裁介绍BSPDN技术收益，该技术的SF2Z节点可改善电路压降问题，在芯片面积、能效、性能方面有显著提升，还提到了三星电子的先进制程路线图

🎯BSPDN背面供电网络技术的SF2Z节点能明显改善电路压降问题。具体而言，它可减少约17%芯片面积，提升约15%能效，增强约8%性能，此技术优势显著，为芯片性能提升带来新可能

📅三星电子公布了最新先进制程路线图。初版2nm制程SF2定于2025年量产，改进版SF2P落在2026年，SF2Z则将于2027年量产，各节点在性能、功耗、面积等方面有不同的提升目标

💪对于SF2P，三星电子计划在该节点上实现较SF2工艺12%的性能提升、25%的功耗降低、8%的面积减少，展现了三星在芯片制程上的不断追求和进步

IT之家 8 月 23 日消息，综合韩媒 The Elec 与 Hankyung 报道，三星电子负责晶圆代工 PDK 开发团队的高级副总裁 Lee Sun-Jae 昨日在西门子 EDA 论坛 2024 首尔场上介绍了 BSPDN 背面供电网络技术的收益情况。

Lee Sun-Jae 表示，相较于采用传统 FSPDN 供电方式的 2nm 工艺，采用 BSPDN 的 SF2Z 节点可明显改善电路压降问题。具体到数据上，其可减少约 17% 芯片面积、提升约 15% 能效、增强约 8% 性能。

参考IT之家此前报道，三星电子在三星代工论坛 2024 北美场上公布了最新先进制程路线图：初版 2nm 制程 SF2 定于 2025 年量产，改进版 SF2P 落在 2026 年，而 SF2Z 则将于 2027 年量产。

对于 SF2P，Lee Sun-Jae 则称三星电子计划在该节点上实现较 SF2 工艺 12% 的性能提升、25% 的功耗降低、8% 的面积减少。