日本冲绳科学技术大学院大学设计EUV光刻技术，该技术使光刻设备采用更小光源，功耗低，能降成本并提高机器可靠性和使用寿命，我国也有相关公司涉此领域。

🎯日本冲绳科学技术大学院大学设计的EUV光刻技术，突破了半导体制造业标准界限。光刻设备采用更小的EUV光源，降低了成本，提高了机器的可靠性和使用寿命。

💡奥普光电的控股股东长春光机所参与国家科技重大专项，研究极紫外（EUV）光刻关键技术，为该领域发展做出贡献。

🔬英诺激光在半导体领域的大能量、高重频超快激光是支撑EUV光源预脉中的核心技术，推动了EUV光刻技术的发展。

🌐蓝英装备的瑞士子公司UCMAG为ASML及其供应商提供极紫外相关服务，助力EUV光刻技术的应用。

据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。 基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 奥普光电：公司控股股东长春光机所拥有国家科技重大专项(02专项)极紫外(EUV)光刻关键技术研究。 英诺激光：在半导体领域，大能量、高重频超快激光是支撑EUV光源预脉中的核心技术。 蓝英装备：瑞士子公司UCMAG为ASML及其供应商提供极紫外