安徽大学杜海峰教授团队运用聚焦离子束微纳器件制备技术，成功制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元，该单元赛道宽度仅为100纳米，实现了纳秒电脉冲驱动下，100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动，为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。

🤩 **最小尺寸的斯格明子赛道器件单元:** 安徽大学杜海峰教授团队利用聚焦离子束微纳器件制备技术，成功制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元，其赛道宽度仅为100纳米。该成果突破了传统磁性材料器件尺寸限制，为未来高密度、高性能磁存储器件的开发提供了新的可能性。

🚀 **纳秒电脉冲驱动下的高效运动:** 该团队在100纳米宽度赛道中实现了80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动，这表明该器件能够在纳秒级时间内快速响应电脉冲，并有效地控制斯格明子的运动方向和速度。这一突破为构建高速、低功耗的拓扑磁电子学器件奠定了基础。

💡 **高密度、高速度、可靠的新型器件:** 该研究成果为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。斯格明子作为一种新型的拓扑磁结构，具有尺寸小、稳定性高、可控性强等优点，使其在未来磁存储、逻辑运算、传感器等领域具有广阔的应用前景。

💪 **《自然·通讯》发表:** 相关研究成果已发表在国际顶级期刊《自然·通讯》上，标志着该团队在拓扑磁电子学领域取得了重大突破，也为我国在该领域的发展贡献了力量。

从安徽大学获悉，该校杜海峰教授带领新型拓扑磁性材料与存储器件团队，运用聚焦离子束微纳器件制备技术，制备出了世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元。该单元赛道宽度为100纳米，实现了纳秒电脉冲驱动下，100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动，为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。相关研究成果日前发表在《自然·通讯》上。（科技日报）