SK海力士为提升DDR5和HBM产品性能，计划在1c DRAM上全面应用六层EUV光刻工艺。这项创新不仅简化了生产流程，提高了良品率和利润率，还通过13.5纳米波长实现更精细的电路刻画，减少了多重图案化步骤。此举巩固了SK海力士在存储市场的领先地位，并为其与竞争对手的较量增添了优势。未来，EUV工艺将进一步应用于1d、0a等新一代DRAM产品，并集成高数值孔径EUV技术，为人工智能和高性能计算领域提供更强大的支持。

💡 SK海力士将采用六层EUV光刻工艺生产1c DRAM，旨在推动DDR5和HBM产品性能升级。EUV技术以其13.5纳米波长，能够实现更精细的电路结构刻画，并减少传统多重图案化步骤，从而提升芯片性能。

⚙️ 全面采用六层EUV工艺相比混合使用EUV与DUV工艺，能够显著简化DRAM的生产流程，有助于提高产品良品率和企业利润率。这标志着SK海力士在半导体制造工艺上迈出了重要一步。

🚀 此举为SK海力士在新一轮技术竞赛中带来了新的竞争优势，巩固了其在存储市场的领先地位。通过EUV工艺，SK海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的DDR5及高容量HBM芯片。

🔮 SK海力士计划持续加大EUV工艺的投入，为后续1d、0a等新一代DRAM产品全面引入EUV技术，并最终集成高数值孔径（High-NA）EUV技术。这预示着未来在HBM4等产品中，性能与容量将实现双重突破，为AI和高性能计算提供更强算力支撑。

IT之家 8 月 12 日消息，科技媒体 WccfTech 昨日（8 月 11 日）发布博文，报道称 SK 海力士（SK Hynix）为了推动 DDR5 及高带宽存储（HBM）产品性能升级，并在新一代存储技术中占据领先地位，计划在量产 1c DRAM 上应用六层极紫外光（EUV）工艺。

该媒体指出，该工艺不仅刷新了行业标准，也为 DDR5 和高带宽存储（HBM）产品带来更高性能。IT之家援引博文介绍，EUV 技术采用 13.5 纳米波长，可在电路中实现更精细的结构刻画，减少多重图案化（multi-patterning）步骤。

传统 DRAM 制造多采用 EUV 与深紫外（DUV）工艺混合，而 SK 海力士此次在 1c DRAM 全面采用六层 EUV 工艺，不仅可以简化生产流程，而且有助于提升产品良品率和利润率。

该媒体认为在新一轮技术竞赛中，SK 海力士此举不仅巩固了其在存储市场的领先地位，也为其与三星等竞争对手的较量增添了新优势。

1c DRAM 目前尚未广泛应用于主流消费级内存，但 SK 海力士正积极探索其在更大容量 DDR5 及 HBM 产品中的可能性。消息称 SK 海力士将持续加码 EUV 工艺布局，为后续 1d、0a 等新一代 DRAM 产品全面引入 EUV，最终推动高数值孔径（High-NA）EUV 技术的集成。

通过 EUV 工艺，SK 海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的 DDR5 及高容量 HBM 芯片，显著提升产能和良品率，尤其在 HBM4 等未来产品中，1c DRAM 的应用有望带来性能与容量的双重突破，为人工智能、高性能计算等领域提供更强支撑。