长鑫存储作为国内主要的DRAM芯片制造商，已完成向DDR5/LPDDR5芯片的技术切换，并计划逐步减少DDR4出货量，重心转向DDR5。然而，其DDR5量产计划遭遇挑战，主要原因在于使用的制程工艺相对落后，导致芯片面积较大，成本显著提高。此外，该工艺下的芯片品质和良品率仍未达标，早期测试还发现其DDR5内存模块在极端环境下存在稳定性问题，需重新修改设计以提升可靠性。目前，尽管部分问题已解决，良品率仍徘徊在50%左右，距离大规模生产的理想要求尚有差距。预计长鑫存储的DDR5芯片要到2025年末才能实现稳定的大规模生产。

💡 长鑫存储已完成DDR5/LPDDR5技术切换，并计划将重心从DDR4转向DDR5，以期在内存市场占据一席之地。这一战略调整标志着公司在技术升级上的决心。

⚠️ 长鑫存储DDR5量产面临的主要挑战是其制程工艺相对落后，采用第四代DRAM节点技术制造DDR5，导致芯片面积比三星同类产品大出约40%，显著推高了生产成本，不利于大规模推广和市场竞争力。

📈 芯片品质和良品率是另一个关键问题。该工艺下的DDR5芯片良品率徘徊在50%左右，远未达到大规模生产所需的理想水平。此外，早期测试发现其DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题，迫使公司需要重新修改芯片设计以提升可靠性。

⏳ 尽管长鑫存储的DDR5技术已追平南亚科技，并正在努力缩小与领先DRAM厂商的差距，但大规模量产计划似乎未能按预期进行。此前普遍预期的2025年5月或6月大规模量产尚未实现，预计稳定大规模生产阶段要到2025年末才能到来。

作为国内最大的DRAM芯片制造商，也是唯一能生产DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商，长鑫存储（CXMT）在今年初完成了向DDR5/LPDDR5芯片的技术切换。近期，长鑫存储正逐步减少DDR4出货量，将重心转向DDR5，并计划升级工艺以提高产量。然而，其DDR5量产计划似乎遇到了阻碍。

主要问题在于其生产DDR5所使用的制程工艺相对落后。长鑫存储采用了其第四代DRAM节点技术来制造DDR5，导致芯片面积比三星同类产品大出约40%，成本显著提高，不利于大规模量产。更关键的是，该工艺下的芯片品质和良品率仍未达到理想水平。

成本之外，可靠性也是挑战。早期测试发现，其DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题。为此，长鑫存储不得不重新修改芯片设计以提升可靠性。

此前业内普遍预期长鑫存储将在2025年5月或6月开始DDR5的大规模量产，但截至7月，大规模出货尚未实现。尽管部分技术问题已得到解决，但良品率仍徘徊在50%左右，远未达到大规模生产的理想要求。

尽管如此，长鑫存储的DDR5技术已追平南亚科技的水平，正在缩小与领先DRAM厂商的差距。综合当前进展，预计长鑫存储的DDR5芯片要到2025年末才能进入稳定的大规模生产阶段。