IT之家 12小时前
目标良率 70%:三星挑战台积电霸主地位,全力备战 2nm GAA 工艺
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三星电子正采取“精选和聚焦”战略,将资源集中于提升2nm工艺的良率,以期通过产量和成本优势与台积电竞争。据供应链消息,三星预估2nm芯片需求将持续至少三年。为避免重蹈3nm工艺的覆辙,三星正着力于改善芯片散热、稳定性和性能。公司已在平泽等园区建设2nm生产线,并将1.4nm工艺的量产计划推迟至2029年,以集中精力攻克2nm良率难题。三星的GAA晶体管技术将在2nm工艺中应用,有助于技术稳定。目前,三星2nm工艺良率目标为70%,并计划在未来两年内实施第二代和第三代GAA工艺。

🌟 三星调整战略,聚焦2nm工艺良率提升:为应对市场竞争,三星电子启动“精选和聚焦”战略,将资源集中投入到2nm工艺的研发和生产中,旨在通过提高良率和控制成本来挑战台积电在先进芯片制造领域的领先地位。

🚀 2nm工艺前景看好,三星吸取3nm教训:三星电子预估2nm芯片需求将至少持续三年以上,并积极吸取3nm工艺的经验教训,重点在芯片的散热、稳定性和性能方面进行技术改进,以确保2nm工艺的成功量产。

⏳ 1.4nm工艺推迟,为2nm工艺让路:为了集中优势资源攻克2nm工艺的良率瓶颈,三星电子已将原计划于2027年量产的1.4nm工艺推迟至2029年,显示出公司对2nm工艺的重视程度以及对先进工艺路线的审慎规划。

💡 GAA技术应用与迭代,巩固技术优势:三星电子的GAA(全环绕栅极)晶体管技术将在2nm工艺中得到应用,这有助于提升技术稳定性。同时,公司正在研发第二代和第三代GAA工艺(如SF2P+),计划在未来两年内实施,以保持其在下一代芯片制造技术上的竞争力。

📈 良率目标与市场竞争:尽管目前三星2nm工艺的良率(约40%)低于台积电(约65%)和英特尔(约55%),但三星的目标是将良率提升至70%。这一目标如果实现,将显著增强其在先进芯片制造市场的竞争力,尤其是在成本和产量方面。

IT之家 7 月 22 日消息,韩媒 chosu 今天(7 月 22 日)发布博文,援引供应链消息,报道称三星已启动“精选和聚焦”战略,集中资源提升 2nm 工艺良率,希望通过产量和成本优势来挑战台积电。

消息源表示三星电子预估,2nm 芯片需求至少会持续 3 年以上,为了避免重复 3nm 工艺的失败,公司正致力于加强芯片散热和稳定性,并进一步提高芯片性能。

三星电子目前正在平泽等园区建设 2nm 工艺生产线,并推迟 1.4nm 工艺量产计划至 2029 年(原计划 2027 年量产),以便集中精力提高 2nm 工艺的良率。

将原计划在 2027 年量产的 1.4 纳米工艺推迟到 2029 年,以便集中精力提高 2 纳米工艺的收益率。三星电子的 GAA 晶体管技术,在 2 纳米工艺中也可应用,这有助于技术稳定。

IT之家本月曾报道,台积电、英特尔、三星电子的 2nm 代工节点(N2、Intel 18A、SF2)良率分别约为 65%、55%、40%三星的目标是将良率提升到 70%

三星在提升良率同时,将进一步扩展部署全环绕栅极(GAA)晶体管方案,第二代工艺已基本完成设计,目前正研究名为“SF2P+”第三代工艺,并计划在未来 2 年内实施。

图源:WccFtech

尽管道路艰难,但最新报告显示,三星正在逐步改进其下一代光刻技术,预计该节点制造的芯片在未来四年内将会有巨大需求。

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