日本半导体制造商Rapidus近日宣布其2nm全环绕栅极（GAA）晶体管测试晶圆原型制作已启动，并已达到预期的电气特性。该公司成立于2022年，由多家日本大公司联合出资，并获得日本政府的大力支持。Rapidus的IIM-1工厂已于今年4月启动试点生产线，并已接入200余台半导体设备。尽管已取得原型制作的里程碑，Rapidus仍预计在2027年实现2nm工艺量产。与台积电、三星等竞争对手相比，Rapidus的量产时间稍晚。其独特的单片晶圆处理策略旨在提高精度和数据收集效率，但也面临成本和周期的问题。Rapidus计划于2026年一季度向客户提供工艺开发套件，以便客户进行原型制作。

💡 Rapidus在2nm GAA晶体管技术上取得重要进展，成功制造出测试晶圆原型并达到预期电气特性，这是其半导体生产历程中的一个关键里程碑，标志着其在先进芯片制造领域迈出了实质性一步。

🚀 Rapidus是一家由日本八大公司合资成立、并获得政府巨额补贴支持的新兴企业，旨在重振日本半导体产业。其2nm芯片生产技术源自美国IBM，显示了国际合作在该领域的重要性。

⚙️ Rapidus的IIM-1工厂在生产过程中采用了独特的“单片晶圆处理”策略，即每片晶圆单独加工和检测，与成熟大厂的批量处理相结合的方式不同。此举旨在提高操作精度，便于早期发现和修正异常，并为AI良率优化提供更多数据，同时适合小批量生产模式，尽管这可能导致成本升高和周期延长。

⏳ 尽管Rapidus已实现2nm测试晶圆原型制作，但其量产目标定在2027年，这比台积电、三星和英特尔等竞争对手稍晚。这表明该公司仍面临技术成熟、良率提升和产能爬坡等诸多挑战，需要在技术和生产管理上不断优化。

🌐 Rapidus计划在2026年一季度向客户提供2nm制程的工艺开发套件，使客户能够快速启动自有设计的原型制作。这一举措有助于Rapidus吸引客户，并为其未来的商业化铺平道路，尤其是在服务小型公司方面具有潜在优势。

财联社7月19日讯（编辑 史正丞）当地时间周五，被称为日本“芯片国家队”的半导体制造商Rapidus举行发布会，宣布旗下工厂已经开始2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的测试晶圆原型制作，同时确认早期的2nm测试晶圆已达到预期电气特性。

（公司展出的2nm GAA晶体管原型）

据悉，原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑，旨在验证使用新技术制造的早期测试电路是否表现可靠、高效，并达到性能目标。

Rapidus社长小池淳义介绍称，去年12月拿到阿斯麦NXE:3800E EUV光刻机后，试点生产线于今年4月在北海道的IIM-1工厂启动。到6月时，工厂已经接入“200台以上”的半导体设备。

虽然已经拿出原型晶片，小池淳义依然表示公司仍预期到2027年的某个时间点实现2nm工艺量产，足以显示这家新兴晶圆厂还有诸多挑战需要克服。

作为背景，Rapidus是一家2022年刚成立的公司，由软银、索尼、丰田、三菱日联等8家日本大公司合力出资，2nm芯片的生产技术则来自美国IBM。Rapidus同时获得日本政府高达1.7万亿日元的补贴承诺，这也意味着日本政坛的风吹草动——例如本周末的参议院选举，都会对公司的“钱景”造成影响。

Rapidus的首座工厂IIM-1于2023年9月破土动工，2024年完成洁净室的工程并迎接半导体生产设备入驻。

比起正在冲刺年内量产2nm芯片的台积电、三星和英特尔，Rapidus的2nm产能显然会“晚一拍”，但对于这家成立不到3年的公司而言，首先需要证明自己能在半导体行业站得住脚。

在周五发布的公告中，Rapidus提到了一个独特的点——IIM-1工厂的所有前端步骤中均采取单片晶圆处理策略（即每片晶圆单独处理、加工和检测）。

据悉，台积电、三星等成熟大厂会采取批量处理和单片处理相结合的制造方法，其中仅在需要高精度的关键步骤中才使用单片处理，例如光刻、等离子刻蚀、原子层沉积等，但氧化、清洗和退火等步骤则采用批量处理。

Rapidus介绍称，这种处理方法能够精确控制每个操作，方便工程师及早发现异常、迅速修正，无需等待整批完成。同时这种生产方式也能提供更多数据，用来训练提高良率的人工智能算法。最后，这种生产方法适合在大批量和小批量生产之间切换，尤其考虑到Rapidus未来可能会为大量小型公司提供服务。

当然，这种生产方式也存在生产成本高、生产周期长、产能偏低等问题。公司承认存在这样的情况，但也强调在提升良率、减少缺陷等方面的长期收益，会使得单片处理成为2nm及更先进制程的有效策略。

Rapidus周五确认，正在开发一套匹配IIM-1工厂2nm制程的工艺开发套件，预期将在2026年一季度向客户提供，届时客户几乎可以立即开始自有设计的原型制作。