据TrendForce报道，三星在先进内存技术上取得突破，其第六代10纳米DRAM（1c DRAM）的测试良率已提升至50%-70%，远超去年的30%。三星选择生产更新的1c DRAM，而非与SK海力士和美光一样采用1b DRAM技术生产HBM4，此举伴随风险但也可能带来更高回报。三星计划扩大1c DRAM在华城和平泽工厂的产量，并于今年年底前开始HBM4产品的量产。尽管面临挑战，三星的这一进展预示着其在内存市场上的积极布局。

📈三星第六代10纳米DRAM（1c DRAM）的测试良率已提升至50%-70%，相较于去年的不到30%有了显著改善。

💡三星选择生产1c DRAM而非1b DRAM，这与SK海力士和美光有所不同，虽然风险更大，但可能带来更高的回报。

🏭三星计划扩大1c DRAM在华城和平泽工厂的产量，扩产活动预计在今年年底前开始，以支持其HBM4的生产计划。

🗓️三星原计划于2024年底开始量产第六代10纳米DRAM，但重新设计芯片导致生产延迟一年多，旨在实现更高的性能和良率。

🏭新的DRAM产品将在三星平泽4号线工厂生产，用于移动和服务器应用，而HBM4相关的生产将在平泽3号线工厂进行。

据 TrendForce 援引 Sedaily 报道，三星在其先进内存技术方面取得了更佳的成果。该公司第六代 10 纳米 DRAM（称为 1c DRAM）的测试良率目前已达到 50% 至 70%，较去年不到 30% 的良率有了显著提升。

三星与其竞争对手走上了不同的道路。SK海力士和美光坚持使用 1b DRAM 技术生产 HBM4 产品，而三星则选择生产更新的 1c DRAM。这种选择风险更大，但也有可能带来更大的回报，因为生产率的提高使三星能够扩大其制造业务。该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM 的产量，预计扩产活动将于今年年底前开始。

这些进展也支持了三星的 HBM4 生产计划，因为该公司计划在今年晚些时候开始量产 HBM4 产品。然而，业内专家指出，该产品仍处于早期阶段，需要持续关注。

三星原计划于2024年底开始量产第六代10纳米DRAM。然而，该公司选择重新设计芯片。这一决定导致芯片生产延迟了一年多，但其目的是为了实现更高的性能和良率。新的DRAM产品将在三星平泽4号线工厂生产，因为这些芯片将同时用于移动和服务器应用。此外，HBM4相关的生产将在平泽3号线工厂进行。