三星电子和SK海力士正在进行HBM晶圆的工艺技术转换，以防止晶圆翘曲，并引入激光解键合技术取代传统的机械解键合，这被认为是针对下一代HBM的革新。这一转换预计将导致材料和设备供应链的调整。

🤔 **工艺转换的背景**: 随着HBM层数的增加，晶圆翘曲问题日益严重，传统的机械解键合工艺难以满足需求，因此三星和SK海力士寻求新的解决方案。

🚀 **激光解键合技术的应用**: 激光解键合技术可以更精确地剥离晶圆，有效避免晶圆翘曲，并为更高层数的HBM制造奠定基础。

🔄 **供应链的调整**: 由于工艺转换，HBM的材料和设备供应链也将发生变化，需要与合作伙伴进行紧密合作，以确保新工艺的顺利实施。

💡 **下一代HBM的展望**: 这一工艺转换表明HBM技术正在不断发展，未来将朝着更高层数、更高性能的方向发展，为数据中心和人工智能等领域提供更强大的计算能力。

据韩媒etnews报道，三星电子和SK海力士已经开始进行高带宽存储器（HBM）晶圆的工艺技术转换，这一转换以防止晶圆翘曲的新技术引入为核心，被认为是针对下一代HBM。预计随着工艺转换，材料和设备供应链也将发生变化。 据悉三星电子和SK海力士，最近正在与合作伙伴一起开发将HBM用晶圆剥离（解键合）工艺改为激光方法。 晶圆解键合是在工艺中将变薄的晶圆从临时载片上分离出来的工作。半导体制造过程中，主晶圆和载体晶圆是通过粘合剂粘在一起的，然后用刀片剥离，因此被称为机械解键合。 随着HBM的层数增加，如1