近期，一种特殊的5nm芯片技术路线引起关注。该技术避开了对ASML EUV极紫外光刻机的依赖，转而采用步进扫描光刻机，通过多重曝光实现5nm线宽。此外，还采用了精度达到原子级的刻蚀设备，刻蚀速率较以往提升15%，以及新型电子束量测系统，实现纳米级缺陷检测。这种“另辟蹊径”的方法，有望带动半导体设备、材料、设计工具等全产业链发展，甚至可能用于未来的3nm芯片制造。

💡 该5nm芯片技术路线不依赖EUV光刻机，而是采用步进扫描光刻机和多重曝光技术，实现5nm线宽。

🔪 刻蚀环节采用新型5nm刻蚀设备，精度达到原子级，刻蚀速率比以往水平提升15%。

🔬 量测设备采用新的电子束量测系统，实现nm级缺陷检测的替代，提升芯片制造的良率和可靠性。

🔗 这种非EUV的制造方法有望带动半导体设备、材料、设计工具等全产业链发展，为国产芯片制造提供新思路。

快科技5月30日消息，大家都知道，当下先进工艺（尤其是7nm以下），基本都依赖ASML的EUV极紫外光刻机。

按照传统认知，没有EUV就造不出先进工艺，那有没有其他办法呢。

前段时间，世界上就有一种“特殊”5nm的消息传出，它是怎么来的呢？

有报道称，这种5nm采用了完全不一样的技术路线，避开了EUV光刻机的依赖，采用一种步进扫描光刻机，通过多重曝光实现5nm线宽。

光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，主要功能是将掩模上的电路图案通过光学系统投射到涂有光刻胶的硅片上，在光刻胶上形成精细的图案，就像 “画工” 在硅片上绘制电路图，芯片的制程由光刻机决定。

另外，刻蚀机采用某5nm刻蚀设备，精度达到原子级，号称刻蚀速率比以往水平提升15%。

在光刻完成后登场，刻蚀机的主要作用是按照光刻机标注好的图案，通过化学或物理作用，将硅片上多余的部分，如未被光刻胶保护的材料腐蚀掉，留下需要的部分，以形成半导体器件和连接的图案，类似于 “雕工”。

不仅如此，量测设备也采用了新的电子束量测系统，实现nm级缺陷检测的替代。

也就是说，这种“另辟蹊径”的方法，带动了半导体设备、材料、设计工具等全产业链发展。

说不定，未来这种办法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。