SK海力士发布了搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。这款产品专为移动设备端侧AI优化，兼顾高性能与低功耗，能效提升7%，厚度减薄至0.85mm，支持超薄智能手机。UFS 4.1产品顺序读取峰值达4300MB/s，随机读取和写入速度分别提升15%和40%，达到全球领先水平。提供512GB和1TB两种容量，计划今年内交付样品，明年第一季度量产，旨在巩固SK海力士在旗舰智能手机存储器技术领域的领先地位。

📱SK海力士发布了UFS 4.1移动端解决方案，该方案搭载了全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存。

💡该产品特别针对移动设备上的端侧AI进行了优化，旨在提供高性能和低功耗的特性，以满足AI应用的需求。

🔋新品的能效较上一代产品提升了7%，同时厚度减薄至0.85mm，更易于适配超薄智能手机的设计。

🚀UFS 4.1产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s，随机读取和写入速度分别提升了15%和40%，达到UFS 4.1产品中的全球领先水平。

📅该产品提供512GB和1TB两种容量规格，计划今年内向客户交付样品以进行验证，并于明年第一季度正式进入量产阶段。

IT之家 5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。

SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”

据介绍，随着端侧 AI 的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。

顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品能效提升了 7%。同时，成功将产品厚度从 1mm 减薄至 0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。

IT之家查询获悉，该产品支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达 4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了 15% 与 40%，达到现存 UFS 4.1 产品中全球领先水平。

该产品提供 512GB 和 1TB 两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。