中国科学技术大学团队通过创新技术，解决了纯红光钙钛矿LED亮度提高时效率骤降的难题。研究人员利用自主研发的电激发瞬态吸收光谱技术（EETA），深入探究LED内部机制，找到了空穴泄漏是性能瓶颈的关键。通过设计三维钙钛矿异质结，构建了阻拦空穴泄漏的“水坝”，成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED，其峰值外量子效率（EQE）达到24.2%，亮度提升3倍，并展现出极低的效率滚降，为LED技术发展带来新突破。

💡研究团队通过“拍片子”的方式，即电激发瞬态吸收光谱技术（EETA），探测LED内部电子和空穴，揭示了空穴泄漏是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。

🧱研究团队提出了一种新的材料结构设计——三维钙钛矿异质结，通过在钙钛矿晶格内部插入有机分子，构建宽带隙能垒，有效抑制空穴泄漏。

✨基于三维钙钛矿异质结开发的纯红光钙钛矿LED具有国际领先水平的高性能：峰值外量子效率（EQE）达到24.2%，与顶级OLED水平相当；最大亮度为24600坎德拉/平方米，是之前报道的纯红光三维钙钛矿LED的3倍；器件展现出非常低的效率滚降。

    科技日报合肥5月7日电 （张淑凡 记者吴长锋）记者7日从中国科学技术大学获悉，该校姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟团队通过给发光二极管（LED）“拍片子”，找到了纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因，并成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED。相关研究成果于北京时间5月7日在线发表在国际学术期刊《自然》。

    研究团队主要解决了纯红光钙钛矿LED亮度提高时效率骤降的问题。他们自主研发出给LED“拍片子”的“黑科技”——电激发瞬态吸收光谱技术（EETA），通过探测LED内部的电子（负电）和空穴（正电），发现空穴泄漏到电子传输层是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。

    研究团队提出一种新的材料结构设计——三维钙钛矿异质结，有效抑制了空穴泄漏。研究人员在钙钛矿晶格内部插入有机分子，改变发光层晶体结构，构建了阻拦空穴离开发光层的“水坝”——宽带隙能垒，在实现载流子限域的同时，保持高迁移率。

    研究团队基于三维钙钛矿异质结开发的纯红光钙钛矿LED具有国际领先水平的高性能：峰值外量子效率（EQE）达到24.2%，与顶级OLED（有机发光二极管）水平相当；最大亮度为24600坎德拉/平方米，相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了3倍；并且器件展现出非常低的效率滚降——亮度为22670坎德拉/平方米时，器件依然具有超过10%的EQE。