全球存储市场近期出现明显涨价趋势，消费级存储价格接连攀升。SK海力士消费级DRAM颗粒已上涨约12%，SanDisk的NAND Flash产品自4月1日起涨价超过10%。主要原因包括全球供应链瓶颈、晶圆产能限制、关税战背景下美系客户囤货抢运，以及人工智能、云端运算和5G技术对高性能内存的需求增加。存储器大厂集中资源生产高带宽内存（HBM）及DDR5，也排挤了通用型DRAM的产能。三大原厂美光、三星、SK海力士已启动全面涨价策略，预示存储产业脱离价格谷底，进入上行周期。

📈SK海力士消费级DRAM颗粒已经上涨约12%，SanDisk（闪迪）已于4月1日起上调NAND Flash价格，涨幅超过10%，表明存储市场整体上行。

🌍全球供应链瓶颈、晶圆产能限制以及地缘政治因素等多重因素共同推动了存储价格的上涨。同时，美系客户在关税战背景下的囤货行为也加剧了供需紧张。

🧠人工智能、云端运算及5G技术的快速发展，对高性能内存的需求持续增长，促使存储器大厂将资源集中于高带宽内存（HBM）及DDR5的生产，导致通用型DRAM产能受到排挤。

📢内存业界大佬威刚（ADATA）董事长陈立白表示，美光、三星、SK海力士三大厂同步涨价的情况十分罕见，进一步确认了存储产业进入上行周期。

快科技5月6日消息，近期，全球存储市场出现明显涨价趋势，尤其是消费级存储价格接连攀升。

最新市场动态显示，SK海力士消费级DRAM颗粒已经上涨约12%，此前的涨价传闻就此落定。

与此同时，SanDisk（闪迪）已于先前发布NAND Flash价格上调通知，自4月1日起，对所有供应商及零售客户的产品实施价格调整，涨幅将超过10%。

市场分析人士指出，存储价格近期上涨主要受到全球供应链瓶颈、晶圆产能限制、关税战背景下美系客户囤货抢运等多重因素的影响。

特别是人工智能、云端运算及5G技术的快速发展，持续推动了对高性能内存的强劲需求，存储器国际大厂集中资源，生产高带宽内存（HBM）及DDR5的产能，因而排挤到其他通用型DRAM的产能。

同时，原材料成本上升及地缘政治因素，也进一步推高了生产成本。

今年3月份，当时供应链就有消息称，三大原厂美光、三星、SK海力士已启动全面涨价策略。

其中，美光率先于第二季度对DRAM内存合约价上调10-12%，三星与SK海力士亦低调跟进。

内存业界大佬威刚（ADATA）董事长陈立白直言，三大厂同步涨价，此举十分罕见。

这也意味着，宣告存储产业正式脱离价格谷底，进入上行周期。