英特尔在2025代工大会上展示了其2.5D桥接先进封装技术EMIB的最新进展，包括EMIB-T、Foveros-R和Foveros-B等变体。EMIB-T通过TSV硅通孔技术，在基板中构建垂直电力通道，降低了直流/交流电噪声，提升了信号传输的稳定性。英特尔还预告了EMIB未来的发展方向，预计到2026年可实现更大封装尺寸和集成更多HBM内存堆栈，到2028年将进一步扩展封装尺寸并增加HBM数量。这些技术进步旨在满足HBM4和UCIe芯片集成的需求。

🌉EMIB-T技术：英特尔推出EMIB的新变体，通过TSV硅通孔在基板中构建垂直电力通道，优化电力传输路径，降低直流/交流电噪声，从而提高信号传输的稳定性，尤其适用于HBM4和UCIe芯片集成。

🔄技术迁移：EMIB-T技术支持从其他2.5D先进封装技术进行迁移，并且无需进行重大的重新设计，这降低了技术升级的复杂性和成本，方便客户采用英特尔的先进封装方案。

📈未来扩展：英特尔预告EMIB技术在未来的发展规划，到2026年，封装尺寸将达到约120mm×120mm，可集成12个HBM内存堆栈；到2028年，封装尺寸将扩展到120mm×180mm，HBM数量将超过24个，展示了其在封装技术上的持续创新和扩展能力。

IT之家 4 月 30 日消息，综合英特尔官方演讲内容和德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 拍摄的现场照片，2025 Intel Foundry Direct Connect（英特尔代工大会）介绍了英特尔 2.5D 桥接先进封装技术 EMIB 的一系列进展。

英特尔在活动上公布了 EMIB 技术的新变体 —— EMIB-T，其中 T 指的应是 TSV 硅通孔；此外还有分别采用 RDL 重布线层和 Bridge 桥片的 Foveros-R、Foveros-B 封装。

这一面向 HBM4、UCIe 芯片集成的工艺通过 TSV 和 M Bridge 技术在基板中构建垂直的电力通道，而不会像传统方案一样需要“绕路”。这意味着 EMIB-T 可实现更低的直流 / 交流电噪声，有利于信号传输的稳定性。

英特尔表示 EMIB-T 支持从其它 2.5D 先进封装技术迁移，同时这一过程无需重大重新设计。

对于未来的 EMIB，英特尔预告其到 2026 年可通过超过 20 个 EMIB 桥实现约 120mm×120mm 的总封装尺寸，集成 12 个 HBM 内存堆栈；而到 2028 年，封装尺寸将进一步扩展到 120mm×180mm，HBM 数量将超过 24 个。